مواد أشباه الموصلات كربيد السيليكون

يتمتع الجيل الثالث من أشباه الموصلات بأداء فائق وسيناريوهات تطبيق أوسع. كأساس لتطوير تكنولوجيا المعلومات الإلكترونية, لقد مرت مواد أشباه الموصلات بعدة أجيال من التغييرات. مع متطلبات أعلى لسيناريوهات التطبيق, مواد أشباه الموصلات من الجيل الثالث, ممثلة بكربيد السيليكون ونتريد الغاليوم, دخلت تدريجيا مرحلة التصنيع والإفراج السريع. مقارنة بالجيلين السابقين, كربيد السيليكون له أداء متفوق مثل مقاومة الجهد العالي, مقاومة درجات الحرارة العالية وخسارة منخفضة, ويستخدم على نطاق واسع في صنع درجة حرارة عالية, تردد عالي, الأجهزة الإلكترونية عالية الطاقة والمقاومة للإشعاع.

كربيد السيليكون الأجهزة لديها مجموعة واسعة من التطبيقات. بسبب الموصلية الحرارية العالية, قوة المجال الكهربائي عالية الانهيار وكثافة التيار العالي, يمكن استخدام أجهزة أشباه الموصلات القائمة على مواد كربيد السيليكون في العديد من المجالات الصناعية مثل السيارات, أجهزة الشحن, إمدادات الطاقة المحمولة, أجهزة الاتصال, أذرع آلية, وآلات الطيران. أصبح نطاق تطبيقه أكثر شيوعًا وتعمقًا, هي مجموعة واسعة جدًا من آفاق التطبيق, مواد قيمة للغاية.

تحليل مزايا كربيد السيليكون

عرض النطاق المحظور لمواد أشباه الموصلات من الجيل الثالث أكبر بكثير من الجيلين الأولين. الجيل الأول والثاني من أشباه الموصلات عبارة عن أشباه موصلات ذات فجوة ضيقة, بينما من الجيل الثالث من أشباه الموصلات, نطاق واسع (فجوة النطاق أكبر من 2.2 eV) بدأ استخدام مواد أشباه الموصلات بأعداد كبيرة. كربيد السيليكون, كممثل نموذجي لأشباه الموصلات من الجيل الثالث, لديه أكثر من 200 الهياكل المكانية, وتتوافق الهياكل المختلفة مع قيم فجوة النطاق المختلفة, بشكل عام بين 2.4eV و 3.35eV. بالإضافة إلى النطاق العريض, تتمتع مواد كربيد السيليكون أيضًا بمزايا قوة مجال الانهيار العالية, معدل انجراف عالي التشبع وثبات عالي, والقوة القصوى.

نطاق عريض: تحسين الاستقرار المادي وانهيار قوة المجال

عرض النطاق الممنوع يحدد خصائص المواد, شريط ممنوع على نطاق واسع لتحسين أداء أفضل. يعد عرض النطاق العريض مؤشرًا مهمًا لأداء أشباه الموصلات. النطاق الأوسع يعني متطلبات الإثارة العالية, بمعنى آخر., أكثر صعوبة تشكيل الإلكترونات والثقوب, مما ينتج عنه أشباه موصلات ذات فجوة نطاق واسعة تحافظ على خصائص تشبه العازل عندما لا تكون مطلوبة للعمل, مما يجعلها أيضًا أكثر استقرارًا, ويساعد النطاق العريض أيضًا على تحسين شدة المجال الكهربائي للانهيار, والذي بدوره يعزز القدرة على تحمل بيئة التشغيل, كما ينعكس في أفضل مقاومة للحرارة والجهد العالي, مقاومة الإشعاع.

يقلل فرق الطاقة العالي بين نطاق التوصيل ونطاق التكافؤ في نظام النطاق العريض من معدل تراكم الإلكترونات والثقوب بعد الإثارة, مما يسمح باستخدام المزيد من الإلكترونات والثقوب للتوصيل أو نقل الحرارة, وهو أحد أسباب التوصيل الحراري والكهربائي الأقوى لكربيد السيليكون.

 

بناء على هذه الخصائص, يمكن أن تعمل أجهزة كربيد السيليكون بكثافة أعلى ويمكنها أيضًا تبديد الحرارة بسرعة أكبر, مع درجات حرارة تشغيل نهائية أعلى. يمكن أن تؤدي خصائص مقاومة درجات الحرارة العالية إلى زيادة كبيرة في كثافة الطاقة مع تقليل متطلبات أنظمة تبديد الحرارة, السماح للمحطات أخف وأصغر. يسمح عرض النطاق العالي المحظور لكربيد السيليكون أيضًا لأجهزة كربيد السيليكون بتسريب تيار أقل بكثير من أجهزة السيليكون, وبالتالي تقليل فقد الطاقة; لا تحتوي أجهزة كربيد السيليكون على زائدة حالية أثناء عملية الإغلاق, مما يؤدي إلى خسائر تحويل منخفضة وزيادة ملحوظة في تردد التبديل للتطبيقات العملية.

ارتفاع الجهد الانهيار: جلب نطاق تشغيل ونطاق طاقة أكبر

كلما زاد جهد الانهيار, كلما زاد نطاق التشغيل ونطاق الطاقة. يشير جهد الانهيار إلى الجهد الذي ينهار عنده العازل. لأشباه الموصلات, بمجرد الوصول إلى جهد الانهيار, تفقد أشباه الموصلات خصائصها العازلة وتصبح غير صالحة للعمل بسبب تدمير بنيتها الداخلية, وهو مشابه للموصل. وبالتالي, يعني مجال الانهيار العالي نطاق تشغيل أكبر ونطاق طاقة أكبر, بمعنى آخر., كلما زاد حقل الانهيار, الافضل.

أجهزة كربيد السيليكون أكثر قوة, الأصغر, ولديها خسائر أقل في الطاقة. بسبب جهد الانهيار العالي, يمكن استخدام كربيد السيليكون على نطاق واسع في تحضير الأجهزة عالية الطاقة, ميزة لا يمكن استبدالها بأشباه الموصلات القائمة على السيليكون. يسمح الانهيار الأعلى لكربيد السيليكون لأجهزة طاقة كربيد السيليكون بأن يكون لها طبقات حاجز أرق وأكثر مخدرًا بشكل كبير, مما يسمح باستخدام مواد كربيد السيليكون لجعل الأجهزة أرق لنفس المتطلبات, والتي يمكن أن تعمل على توفير المساحة وزيادة كثافة طاقة الوحدة. بالإضافة الى, يسمح مجال الانهيار العالي أيضًا أن يكون لكربيد السيليكون مقاومة أقل للجهد الخارجي, وانخفاض المقاومة يعني فقدان طاقة أقل.

معدل انجراف عالي التشبع: فقدان أقل للطاقة

يحتوي كربيد السيليكون على معدل انجراف تشبع أعلى بسبب هيكله الداخلي. نظريا, يمكن زيادة سرعة الانجراف إلى أجل غير مسمى مع زيادة المجال الكهربائي الخارجي, لكن في الممارسة العملية, مع زيادة المجال الكهربائي المطبق, كما يزداد التصادم بين الموجات الحاملة داخل المادة, لذلك هناك سرعة انجراف تشبع. في حالة كربيد السيليكون, الهيكل الداخلي جيد جدًا في التخزين المؤقت للتصادمات, لذلك لديها معدل انجراف تشبع أعلى.

ينتج عن معدل الانجراف العالي التشبع فقدان طاقة أقل. معدل انجراف عالي التشبع يعني انتقالًا أسرع للحامل ومقاومة أقل. يؤدي هذا أيضًا إلى فقد طاقة أقل بكثير في مواد كربيد السيليكون. مقارنة بالسيليكون, له نفس الحجم MOSFET القائم على كربيد السيليكون 1/200 أقل على المقاومة و 1/10 حجم أصغر من MOSFET القائم على السيليكون, والعاكس باستخدام MOSFET القائم على كربيد السيليكون من نفس الحجم لديه أقل من 1/4 من إجمالي فقد الطاقة مقارنة بـ IGBT القائم على السيليكون. توفر هذه الخصائص دعمًا قويًا لـ تطبيق كربيد السيليكون المواد في العاكسات الكهروضوئية والأجهزة عالية التردد.

سلسلة صناعة كربيد السيليكون

يتم وضع الشركات المصنعة الأجنبية في الغالب في وضع IDM, بينما تركز الشركات المحلية على الروابط الفردية. ويمكن تقسيم سلسلة صناعة كربيد السيليكون إلى: المادة المتفاعلة, تنضيد, جهاز, والاستخدام النهائي. معظم الشركات الأجنبية في وضع IDM, مثل وولفسبيد, روم و إس تي ميكروإلكترونيكس (شارع), بينما تركز الشركات المحلية على تصنيع وصلة واحدة, مثل Tianke Heda وTianyue Advanced في مجال الركيزة, هانتيان تيانتشنغ ودونغقوان تيانديان في المجال الفوقي, وشبه جزيرة ستار وتيكو تيانرون في مجال الأجهزة.

ركائز وحساب epitaxy ل 70% تكلفة أجهزة كربيد السيليكون. نظرا لصعوبة تحضير المادة, انخفاض معدل العائد والقدرة الإنتاجية الصغيرة, وتتركز قيمة سلسلة الصناعة الحالية في الركيزة والأجزاء الفوقي, مع المحاسبة عن الأجزاء الأمامية 47% و 23% تكلفة أجهزة كربيد السيليكون, بينما التصميم الخلفي, تمثل قطاعات التصنيع والتعبئة والتغليف فقط 30%.

استخدام المصب من كربيد السيليكون

مركبات الطاقة الجديدة

سيحقق قطاع مركبات الطاقة الجديدة زيادة كبيرة في أجهزة الطاقة المصنوعة من كربيد الكربون. في سيارات الطاقة الجديدة, تستخدم أجهزة SiC بشكل أساسي في محولات القيادة الرئيسية, OBC (شواحن على متن الطائرة), محولات الطاقة DC-DC على متن الطائرة وأجهزة الشحن DCDC عالية الطاقة. مع إدخال منصات الجهد 800V من قبل الشركات المصنعة للسيارات الكبرى, سيتم استبدال عاكس محرك الأقراص الرئيسي لوحدات التحكم في المحرك بشكل حتمي بـ SiC-MOS مع IGBTs القائمة على السيليكون لتلبية الطلب من التيار العالي والجهد العالي, مما سيجلب مساحة نمو ضخمة.

تمثل وحدة الطاقة في وحدة التحكم في المحرك 8% من تكلفة السيارة. وهي مسؤولة عن تحويل خرج طاقة التيار المستمر عالي الجهد من بطارية الطاقة إلى طاقة تيار متردد ثلاثية الطور بتردد متغير وتيار, توريد الطاقة لمحرك القيادة, تغيير سرعة وعزم دوران المحرك, وتصحيح طاقة التيار المتردد ثلاثية الطور من المحرك إلى طاقة التيار المستمر لشحن بطارية الطاقة أثناء استعادة الطاقة. تمثل وحدة الطاقة 41% من تكلفتها, أو 8% من تكلفة السيارة.

تشمل فوائد استخدام أجهزة كربيد السيليكون:

1) تحسين التسارع. يسمح استخدام أجهزة كربيد السيليكون لمحرك الدفع بتحمل طاقة إدخال أعلى بسرعات منخفضة, وبسبب أدائها الحراري العالي, فهي ليست خائفة من التأثيرات الحرارية وفقدان الطاقة الناجم عن التيار الزائد. يتيح ذلك لمحرك القيادة توفير المزيد من عزم الدوران عند بدء تشغيل السيارة, مما يؤدي إلى تسارع أكبر.

يمكن استخدام أجهزة SiC لزيادة نطاق المركبات الكهربائية عن طريق تقليل الخسائر في أبعاد التشغيل/الإيقاف. وفقًا لبيانات بحث إنفينيون, خسارة إيقاف SiC-MOS على وشك 20% من Si-IGBT عند درجة حرارة تقاطع 25 درجة مئوية, و 10% من Si-IGBT عند درجة حرارة تقاطع 175 درجة مئوية. إجمالي, يمكن أن يؤدي استخدام أجهزة SiC في مركبات الطاقة الجديدة إلى زيادة النطاق بنسبة 5-10%.

3) الوزن الخفيف. بفضل الأداء المتفوق لSiC, يمكن لأجهزة SiC تقليل الحجم في الجوانب التالية: 1) حجم حزمة أصغر, 2) مرشحات أقل ومكونات سلبية مثل المحولات, المكثفات, المحاثات, إلخ., 3) حجم أقل للحرارة, و 4) سعة بطارية أقل ضمن نفس النطاق. العاكس SiC صممه Rohm, فمثلا, يقلل من حجم العاكس الرئيسي بنسبة 43% والوزن بها 6 كجم باستخدام جميع وحدات SiC.

4) تقليل تكلفة النظام. حالياً, أجهزة SiC هي 4-6 مرات أكثر تكلفة من الأجهزة القائمة على السيليكون, لكن استخدام أجهزة SiC أدى إلى انخفاض كبير في تكلفة البطارية وزيادة في النطاق, مما أدى بدوره إلى خفض التكلفة الإجمالية للمركبة. الزيادة في تكلفة عاكس محرك SiC-MOS على وشك $75-$200, ولكن وفورات في التكاليف من البطارية, مكونات سلبية, ونظام التبريد هو $525-$850, انخفاض كبير في التكاليف النظامية. لنفس المسافة المقطوعة, يمكن لعاكس SiC توفير ما لا يقل عن ذلك $200 لكل مركبة.

العاكسون الضوئية

يمكن لأجهزة طاقة كربيد السيليكون تحسين كفاءة التحويل لمحولات الطاقة الكهروضوئية وتقليل فقد الطاقة. في توليد الطاقة الكهروضوئية, المحولات التقليدية القائمة على الأجهزة القائمة على السيليكون تمثل حاليًا حوالي 10% من تكلفة النظام, ولكنها أحد المصادر الرئيسية لخسائر طاقة النظام. باستخدام SiC-MOS كمادة أساسية, يمكن زيادة كفاءة تحويل المحولات الكهروضوئية من 96% إلى أكثر من 99%, يمكن تقليل فقدان الطاقة بأكثر من 50%, ويمكن زيادة عمر دورة المعدات بواسطة 50 مرات, وبالتالي تقليل حجم النظام, زيادة كثافة الطاقة, إطالة عمر الجهاز, وخفض تكلفة الإنتاج. كفاءة عالية, كثافة طاقة عالية, الموثوقية العالية والتكلفة المنخفضة هي الاتجاهات المستقبلية لمحولات الطاقة الكهروضوئية. من المتوقع أن تحل منتجات كربيد السيليكون تدريجياً محل الأجهزة القائمة على السيليكون في سلسلة ومحولات الكهروضوئية المركزية. في الوقت الحالي, هناك عدد قليل من التطبيقات المحلية لمحولات الطاقة الكهروضوئية من كربيد السيليكون في مجال الكهروضوئية, ولكن هناك بالفعل شركات العاكس الكهروضوئية حول العالم التي تستخدم محولات الطاقة الكهروضوئية من كربيد السيليكون, مثل سلسلة TLM من Ingeteam في إسبانيا.

النقل بالسكك الحديدية

في النقل بالسكك الحديدية, تستخدم أجهزة أشباه موصلات الطاقة على نطاق واسع في مركبات السكك الحديدية, بما في ذلك محولات الجر, المحولات المساعدة, المحولات الرئيسية والمساعدة, محولات الطاقة الإلكترونية, وشواحن الطاقة. بينهم, محول الجر هو المعدات الأساسية لنظام نقل التيار المتردد عالي الطاقة للقاطرات. يمكن أن يؤدي تطبيق أجهزة كربيد السيليكون في محولات الجر العابرة للسكك الحديدية إلى ارتفاع درجة الحرارة بشكل كبير, خصائص التردد العالي والخسارة المنخفضة لأجهزة كربيد السيليكون, تحسين كفاءة أجهزة تحويل الجر, تلبية الطلب على قدرة عالية, أجهزة تحويل الجر خفيفة الوزن وموفرة للطاقة للنقل بالسكك الحديدية, وتحسين الكفاءة العامة للنظام.

الشبكة الذكية

في الشبكة الذكية, مقارنة بأجهزة الطاقة الإلكترونية الأخرى, يتطلب نظام الطاقة جهدًا أعلى, قدرة طاقة أعلى وموثوقية أعلى. انتقال العاصمة, أنظمة نقل وتوزيع الطاقة ذات الجهد العالي DC لتعزيز تطوير وتغيير الشبكة الذكية.

مجال الترددات اللاسلكية

في أجهزة الترددات اللاسلكية, تتمتع أجهزة GaN RF المعتمدة على ركيزة كربيد السيليكون بمزايا التوصيل الحراري العالي لكربيد السيليكون وإخراج التردد اللاسلكي عالي الطاقة لـ GaN في نطاق التردد العالي, واختراق العيوب الكامنة في أجهزة GaAs وأجهزة LDMOS القائمة على السيليكون لتلبية متطلبات اتصالات 5G لأداء عالي التردد وقدرة معالجة عالية الطاقة. أصبحت أجهزة RF القائمة على GaN هي الطريق التكنولوجي السائد لمضخمات الطاقة 5G, خاصة لمضخمات طاقة المحطة الأساسية الكلية.

حساب مساحة السوق العالمية لركيزة كربيد السيليكون

ركائز كربيد السيليكون ضرورية لإعداد أجهزة كربيد السيليكون وهي حاليًا الجزء الأكثر تكلفة من أجهزة كربيد السيليكون. هنا, نحن نقدر مساحة السوق العالمية والطلب على الركيزة لركائز كربيد السيليكون من 2021 إلى 2025 في مجال مركبات الطاقة الجديدة والخلايا الكهروضوئية, وتوقع إجمالي مساحة السوق والطلب على الركيزة لركائز كربيد السيليكون مع هذا المرجع.

مركبات الطاقة الجديدة: 25 قد يصل الطلب سنوات 3 مليون قطعة, مساحة السوق لأكثر من 10 مليار يوان

لتوقعات سوق مركبات الطاقة الجديدة, نجعل الافتراضات التالية على المعلمات الرئيسية:

متوسط ​​السعر الحالي لكربيد السيليكون 6 بوصات هو 1000 نحن. دولار, حول 6400 يوان / قطعة, نظرًا للتطور المستقبلي للمسار الفني على 6 بوصات وتشكيل المزيد من وفورات الحجم, من المتوقع أن تظهر أسعار كربيد السيليكون اتجاهاً عاماً للانخفاض, لاتجاه السعر المحدد, نحن 2021-2025 انخفاض سعر الركيزة في الافتراضات الثلاثة التالية:

• 1) 10% اختزال;
• 2) 15% اختزال;
• 3) 20% اختزال.

عدد الركائز المستهلكة لكل مركبة: بالنظر إلى انخفاض الأسعار في المستقبل ، سيزيد تدريجياً استخدام كربيد السيليكون في مركبات الطاقة الجديدة, بناءً على النموذج الحالي 3 مركبة واحدة مع 48 رقائق MOSFET كربيد السيليكون, عدد ركائز 6 بوصات المستخدمة في سيارة واحدة حوالي 0.16 قِطَع, ثم تنمو تدريجيًا إلى 0.4 قطع في 2025.

معدل الاختراق: يتم تعريف معدل الاختراق على أنه النسبة المئوية لمبيعات مركبات الطاقة الجديدة التي تستخدم أجهزة SiC في إجمالي مبيعات مركبات الطاقة الجديدة. 14% معدل الاختراق في 2021 و 6% ومن المتوقع نمو معدل الاختراق من 2021-2025.

جنبا إلى جنب مع البيانات والافتراضات المذكورة أعلاه, في ال 10%/15%/20% ومن المتوقع تخفيض الأسعار, قد يصل سوق ركائز كربيد السيليكون في مجال مركبات الطاقة الجديدة 12.8/10.2/80 مليار يوان, وسوف يصل الطلب على الركيزة المقابلة 3.04 مليون قطعة.

المجال الكهروضوئي: 25 سنوات الطلب أو أكثر 500,000 قِطَع, مساحة السوق 2 مليار يوان

القدرة المركبة العالمية الجديدة: تُستخدم ركائز كربيد السيليكون بشكل أساسي في محولات الطاقة الكهروضوئية في الصناعة الكهروضوئية, بقدرة مركبة عالمية تبلغ 137 جيجاوات 2020 ومن المتوقع أن تتجاوز 400 جيجاوات 2025, على أساس 400GW كمرجع. 2021 يتم تحويل البيانات من البيانات ذات الصلة في التقرير السنوي لشركة Sunshine Power, وهو حوالي 156 جيجاوات.

نسبة تكلفة IGBT: وفقا للبيانات التي تم الكشف عنها في نشرة الإصدار, تبلغ نسبة تكلفة IGBT القائمة على السيليكون حوالي 10% من التكلفة الإجمالية للعاكسات الكهروضوئية, ومن المفترض أن تظل نسبة تكلفة IGBT القائمة على السيليكون دون تغيير في السنوات القليلة المقبلة.

سعر العاكس: في 2021, إن مواد محولات الطاقة الكهروضوئية الخاصة بشركة Sunshine Power هي في الأساس مواد قائمة على السيليكون, مع حجم مبيعات يصل إلى 47 جيجاوات وإيرادات أعمال بقيمة الرنمينبي 9.05 مليار, وبالتالي فإن سعر محولات الطاقة الكهروضوئية القائمة على السيليكون يبلغ حوالي 0.19 يوان صيني لكل واط. وفقًا لبيانات تغير سعر العاكس لشركة Sunshine Power من 2017 إلى 2021, ينخفض ​​متوسط ​​السعر السنوي بنحو 0.02 يوان/واط. وبالتالي, ومن المتوقع أن ينخفض ​​السعر تدريجياً في المستقبل. وبالتالي, ومن المتوقع أن ينخفض ​​السعر تدريجياً في المستقبل, على افتراض أن السعر سينخفض ​​بمعدل 0.02 يوان/W سنويا ل 0.13 يوان/دبليو.

كربيد السيليكون / نسبة سعر السيليكون: تبلغ نسبة السعر الحالي لأجهزة كربيد السيليكون والأجهزة القائمة على السيليكون حوالي 4, ومن المتوقع في المستقبل أن تنخفض نسبة استبدال التكلفة, وينبغي أن ترتبط نسبة الانخفاض بشكل إيجابي مع تغير السعر, لذلك يفترض أن نسبة استبدال التكلفة تنخفض كل عام.

نسبة تكلفة الركيزة: نسبة الركيزة الحالية هي 46%, ومن المتوقع أن تنخفض النسبة بمعدل 3% كل سنة.

معدل الاختراق: ويشير معدل الاختراق هنا إلى النسبة المئوية لمحولات الطاقة الكهروضوئية من كربيد السيليكون في إجمالي العاكسات. بالإشارة إلى بيانات CASA, معدل الاختراق هو 10% في 2021, ومن المتوقع أن ينمو بمعدل 10% كل سنة. بواسطة 2025, سوف يصل معدل الاختراق 50%.

الجمع بين البيانات والافتراضات المذكورة أعلاه, ويبين الجدول التالي أن مساحة السوق سوف تنمو بمعدل نمو سنوي مركب قدره 39% وسوف ينمو الطلب بمعدل نمو سنوي مركب قدره 58%. بواسطة 2025, سوف تصل مساحة السوق 2 مليار يوان وسوف يتجاوز الطلب على الركائز 500,000 قِطَع.

تقدير السوق الإجمالي

وفقًا لتقرير المستثمر Wolfspeed, حصة مركبات الطاقة الجديدة + الكهروضوئية في إجمالي سوق كربيد السيليكون 77% في 2021, ومن المتوقع أن يصل 86% في 2027. وبالتالي, حصة السوق في هذا الجزء من الإسقاط هي 77% في 2021, ومن المتوقع أن يصل 85% في 2025, استنادا إلى أ 2% معدل النمو السنوي. حسب المعطيات اعلاه, سينمو حجم السوق الإجمالي لركيزة كربيد السيليكون العالمية من 1.9 مليار يوان 14.3 مليار يوان من 2021 إلى 2025, وسوف ينمو الطلب من 300,000 قطع ل 4.2 مليون قطعة.

الموردين كربيد السيليكون المنبع

باعتبارها المورد الرئيسي للمواد الخام كربيد السيليكون في الصين, خنان متفوقة لاستيراد المواد الكاشطة & شركة التصدير, المحدودة. قدمت بشكل مطرد جودة عالية كربيد السيليكون الأسود و كربيد السيليكون الأخضر للعديد من شركات كربيد السيليكون حول العالم, وأسواقنا تغطي الولايات المتحدة الأمريكية, كندا, المكسيك, بيرو, شيلي, الإمارات العربية المتحدة, المملكة العربية السعودية, روسيا, إسبانيا, جنوب أفريقيا, جنوب شرق آسيا, إلخ. إذا كان لديك أي طلب ل مسحوق دقيق كربيد السيليكون, كربيد السيليكون حصى الكلي, يرجى الاتصال بنا للحصول على أحدث عرض من كربيد السيليكون في 2022.