De dichtheid van silicium carbide (SiC) is 3.21 gram per kubieke centimeter (g/cm). Dit is lager dan de dichtheid van silicium (En), dat is 2.33 g/cm. Dit maakt SiC een goed materiaal voor toepassingen waarbij lichtgewicht en hoge sterkte vereist zijn.
Siliciumcarbideparameters
SiC is een halfgeleidermateriaal met veel unieke eigenschappen, inbegrepen:
- Brede bandafstand: SiC heeft een grotere bandafstand dan silicium, wat betekent dat het kan werken bij hogere temperaturen en spanningen.
- Hoge thermische geleidbaarheid: SiC heeft een hoge thermische geleidbaarheid, wat betekent dat het de warmte efficiënt kan afvoeren.
- Hoge mechanische sterkte: SiC is een zeer sterk materiaal, met een hardheid vergelijkbaar met diamant.
Toepassingen van siliciumcarbide
Siliciumcarbide heeft een breed toepassingsgebied, inbegrepen:
- Schuurmiddelen, zoals slijpstenen en schuurpapier
- Vuurvaste materialen, zoals bakstenen en bekledingen voor ovens
- Halfgeleiders, voor apparaten met een hoog vermogen en hoge temperaturen
- Schild, vanwege de hoge hardheid en lage dichtheid
- Snijgereedschappen, vanwege de hardheid en slijtvastheid
- Sieraden, vanwege zijn glans en duurzaamheid
Siliciumcarbide is een waardevol materiaal met veel belangrijke toepassingen. De hoge dichtheid is een van de belangrijkste eigenschappen, waardoor het ideaal is voor gebruik in verschillende veeleisende omgevingen.
