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中国碳化硅半导体制造商

碳化硅芯片

碳化硅 (碳化硅) 是第三代化合物半导体材料. 半导体产业的基石是芯片, 而用来制作芯片的核心材料又分为第一代半导体材料 (主要是高纯硅, 今天被广泛使用), 第二代化合物半导体材料 (砷化镓和磷化铟), 第三代化合物半导体材料 (碳化硅和氮化镓). 碳化硅以其优越的物理性能将成为未来最广泛使用的制作半导体芯片的基础材料: 高禁带宽度 (对应高击穿电场和高功率密度), 高导电性, 和高导热性.

碳化硅芯片生产工艺

行业竞争

从行业格局来看, 当前全球SiC产业格局呈现美国三足鼎立的局面, 欧洲和日本. 美国. 是全球SiC市场的霸主, 占 70% 到 80% 全球 SiC 产量, CREE 有一个 60% 碳化硅晶圆市场占有率; 欧洲拥有完整的SiC衬底, 外延, 设备及应用产业链, 并在全球电力电子市场拥有强大的话语权; 日本在设备和模块开发方面绝对领先.

全球碳化硅竞争格局

高技术门槛导致第三代半导体材料市场被日本垄断, 美国和欧洲的寡头垄断, 而国内企业在SiC衬底方面以4英寸为主. 现在, 国内公司已开发出6英寸导电SiC衬底和高纯度半绝缘SiC衬底. Shandong Tianyue Company, 北京天科和达公司、河北同光水晶公司与山东大学合作, 中科院物理研究所与中科院半导体研究所在SiC单晶衬底技术上形成独立的技术体系. 现在, 4英寸基板实现国产化量产; 同时, Shandong Tianyue, Tianke Heda, 河北同光、中科节能完成6英寸基板开发; CEC成功开发6英寸半绝缘基板.

中国碳化硅衬底项目已近 30

碳化硅是发展最为成熟的第三代半导体材料, 带宽大, 高设备极限工作温度, 高临界击穿电场强度, 电动汽车的高导热性和其他显着性能优势, 力量, 军队, 航空航天等市场前景广阔的领域.
最近几年, 随着5G基站的建设和特斯拉MODEL的热销 3 和比亚迪汉, 碳化硅衬底市场蓬勃发展. 据中国电子材料行业协会半导体材料分会统计,我国从事碳化硅衬底开发的企业已 30 (不包括 CEC 46, 硅酸盐, 浙江大学和天津工业大学等纯研究机构), 最近几年, 这些单位规划总投资超 30 亿元, 总规划能力超标 1.8 百万件 / 年.

中国碳化硅芯片企业

中电科半导体材料有限公司, 有限公司

中电科半导体材料有限公司, 有限公司成立于3月 28, 2019, 注册资本为 100,000,000 人民币. 这 300 山西硕科晶体公司碳化硅产业基地一期单晶生产装置套。, 有限公司. 公司年生产能力为 75,000 碳化硅单晶衬底片年收入超过 300 百万人民币. 项目完成后, 年产能为 100,000 件 4-6 英寸N型碳化硅单晶硅片和 50,000 件 4-6 英寸高纯半绝缘碳化硅单晶圆片, 年产值 1 亿元.

Tianke Heda

Beijing Tianke Heda Semiconductor Co., 有限公司. 9月成立 2006 by 新疆天府集团与中科院物理研究所, 是一家专业从事R&丁, 第三代碳化硅的生产和销售 (碳化硅) 晶片. 公司总部位于北京市大兴区生物医药基地, 与一个R&D中心及全套集晶体生长为一体的SiC晶圆生产基地 – 水晶加工 – 晶圆加工 – 清洁和测试; 全资子公司, Xinjiang Tianke Heda Blue Light Semiconductor Co., 有限公司. 位于石河子市, 新疆, 主要从事碳化硅晶体的生长.

Shandong Tianyue

11月成立 2010, 山东天悦先进科技有限公司。, 有限公司. 是国内领先的宽带制造商 (第三代) 半导体基板材料, 主要从事开发, 碳化硅衬底的生产和销售, 产品可广泛应用于电力电子, 微波电子学, 光电子等领域. 从八月 2019 至十一月 2020, 山东天悦已完成五轮融资. 在十二月 2020, 山东天悦公告首次公开发行股票并上市辅导.

中科钢研

中科钢研是经国务院国资委批准成立的新型央企控股混合所有制企业。 2016. 在未来三到五年内, CCSR将与战略合作伙伴成立合资公司, Guohong Zhongyu Technology Development Co. 公司是集第三代半导体材料及其应用技术和产品于一体的企业集团, 以碳化硅半导体材料为代表.
基于引进日本升华法等国际一流的碳化硅长晶工艺技术和设备 (PVT), 高温化学气相沉积法 (高温化学气相沉积) 和俄罗斯电阻加热升华法, Zhongke Steel Research and Guohong Huaye, 通过三年的技术消化, 吸收和再创造, 通过流程建模, 数值模拟, 设备集成, 工艺测试等方面的系统性工作, 中碳化硅长晶专用设备, 通过过程建模的系统工作, 数值模拟, 设备集成和工艺测试, 碳化硅长晶专用设备取得重大进展, 碳化硅高纯原料合成, 碳化硅单晶生长及衬底加工技术, 形成了以碳化硅单晶生长核心工艺技术为代表的具有自主知识产权的完整工艺技术体系.

超科学

Hypersics Semiconductor Co Ltd 是一家新成立的第三代半导体公司 2019.

在 2020, 江苏海博赛科与南京江北新区签约. 公司计划实现年生产能力 30,000 三年内6英寸碳化硅衬底片, 未来将在SiC衬底产品的基础上,进一步发展SiC切割和研磨抛光工艺,打造国内SiC行业标杆企业.
此外, 根据其官方网站, 公司对HTCVD法制备SiC的技术路线也很感兴趣. 现在, 开发了HTCVD碳化硅 (碳化硅) 单晶生长设备.

路晓科技

上市公司鲁霄科技近年大举进军SiC衬底行业.

碳化硅是5G领域高性能高频HEMT器件的关键材料, 公司掌握碳化硅角闪石炉制造核心技术. LUXIAO 科技和/或其控股公司将设定限制 200 国宏中宇牵头的碳化硅产业化项目碳化硅长晶炉, 设备采购总额约 300 百万人民币.
国家重点高新技术企业, 中国机械顶 500, 浙江省最具成长性企业之一, 下辖十余家子公司. 企业已通过ISO9001, IATF16949, ISO14001, ISO10012体系认证, 及各类电磁线产品均通过了产品质量认证 “中国方圆标志认证中心” 和美国. UL安全认证, 并通过 SGS 测试符合 RoHS 要求. 很多年了, 公司荣获以下荣誉称号 “AAA级信用”, “清洁生产先进企业” 和 “绍兴市环境友好企业”, ETC.

安徽微芯

Anhui Microchip Changjiang Semiconductor Materials Co., 有限公司. 是上海申和热磁电子有限公司的子公司. 公司碳化硅项目位于铜陵经济开发区, 投资 1.350 亿人民币, 占地面积 100 亩和一栋新厂房,使用面积为 32,000 平方米, 包括碳化硅晶体生长车间, 晶圆加工车间, R&D中心, 发电厂, 辅助设备, ETC.
项目立足于节能环保, 和 4&6 英寸制程兼容自动化生产线作为实施点, 施工期为 4 年, 该项目从十月开始 2020 至十月 2024, 计划年内完成厂房建设和设备安装调试 3 宿舍的 2021, 并于12月底完成中试并开始试销 2021, 生产负荷是 33%, 67% 和 100% 分别在第一 3 生产多年后. 预计年产能为 30,000 4英寸碳化硅晶片片和 120,000 到达后的6寸碳化硅片片.

Nansha Wafer

南沙晶圆是一家专注于第三代半导体碳化硅单晶材料及相关衬底晶圆、外延片的高新技术企业. 公司由博士领导. Wang Yaohao, 深圳第三代半导体研究院原副院长, 并引进山东大学徐宪刚教授为带头人开展R&丁, 第三代半导体材料中试及后续量产 – 碳化硅单晶材料.
在七月 2020, 公司与广州市南沙区签约, 计划投资 900 万元,年产 200,000 各种基板晶圆及外延片达产后.

三安光电

作为领先的LED企业,三安光电非常重视碳化硅衬底材料的研发,各方面的工作很早就开始布局. 根据内部消息, 现在, 三安光电内部R & D团队平行研究碳化硅衬底制备技术.

河南优之源磨料

建立在 2001, 河南优之源磨料 是中国领先的碳化硅及相关产品供应商. 作为碳化硅芯片上游企业, 多年来,我们一直稳定地为国内外客户提供优质的碳化硅原材料 20 年. 我们拥有专业的生产和销售团队,与多家企业建立了合作关系 100 世界各国, 市场覆盖美国, 加拿大, 中东, 俄罗斯, 西班牙, 南非, 东南亚, ETC。. 我们在机械领域享有很高的声誉, 冶金, 铸造厂, 电子及相关产业.

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