3碳化硅, 也称为立方碳化硅, 是一个 碳化硅的晶体结构 (碳化硅). 它是SiC的多型体之一, 这是晶格内硅和碳原子排列的变化. 这 “3C” 3C-SiC中指的是立方晶体结构.
SiC是由硅和碳组成的化合物, 它展现出广泛的物理和化学特性，使其对各种应用极具吸引力.
3C-SiC的主要特性
- 晶体结构: 3C-SiC具有立方晶体结构, 类似于金刚石和硅的结构. 这种晶体结构赋予它独特的特性，使其适用于某些电子应用.
- 宽带隙: SiC 具有较宽的能带隙, 这意味着与硅相比，将电子从价带移动到导带需要更多的能量. 该特性使 SiC 器件能够在更高的温度下运行并处理更高的电压, 使它们成为电力电子应用的理想选择.
- 高导热性: SiC 具有优异的导热性, 这使得它比许多其他半导体材料更有效地散热. 此属性对于热管理必不可少的大功率应用至关重要.
- 高击穿电场: SiC 表现出高击穿电场, 这意味着它可以在发生电击穿之前承受更高的电压. 这一特性使得 SiC 器件适用于高压电力电子应用.
- 化学稳定性: SiC 具有化学惰性，具有很高的耐化学腐蚀性. 它可以承受恶劣的环境，并且与其他半导体材料相比不易退化.
由于这些独特的特性, 3C-SiC 在各个领域都有应用，例如 电力电子, 高温电子, 半导体, 光电子学, 和传感器. 用于电力电子元器件等设备, 高频设备, 发光二极管 (发光二极管), 和辐射探测器, 除其他外.
SiC基材料和器件的开发和研究一直在进行, 其商业采用持续增长, 受不同行业对更高性能和节能技术的需求驱动.
